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还在为高压电源设计的效率瓶颈和空间限制烦恼吗？STL12N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用ST先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V/6.5A的强悍规格，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量更少，运行更稳定。

它能让您轻松实现高效、紧凑的电源设计。其独特的PowerFlat HV封装不仅节省宝贵的PCB空间，还提供了优异的散热性能。无论是用于开关电源、功率因数校正（PFC）还是电机控制，STL12N60M2都能以出色的可靠性，确保您的产品在激烈的市场竞争中保持性能优势。

• 型号:STL12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。