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还在为功率器件的体积和发热烦恼吗？STL100N8F7就是为您的高效、紧凑型设计而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有80V耐压和100A的强大电流承载能力，而其核心优势在于仅6.1毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的PowerFlat（5x6）封装，极大地节省了PCB空间，非常适合追求高功率密度的应用。同时，优异的栅极电荷和开关特性让您能轻松提升开关频率，从而优化周边磁性元件的选型，实现整体方案的小型化与成本优化。选择它，就是选择了一份让设计更轻松、让性能更出众的可靠保障。

• 型号:STL100N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3435 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL100N8F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。