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您正在寻找一颗能扛起高效功率转换重任的核心开关吗？STF28N60DM2正是为此而生。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和21A的电流处理能力，其超低的160毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升您的系统效率，让电能转换更加“干净利落”。

它卓越的开关特性，如较低的栅极电荷和输入电容，让驱动设计更简单，开关速度更快，进一步优化了高频应用下的性能。无论是用于电源的PFC、主开关，还是电机驱动，STF28N60DM2都能让您的设备运行更凉爽、更安静、更可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的动力核心。

• 型号:STF28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。