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还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STD11NM60N-1正是为您破解困局的利器。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，能轻松胜任电源转换、电机驱动等核心任务。

它的卓越之处在于，能在10V驱动电压下，将导通电阻控制在极低的水平，显著减少导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速干净的开关性能，让您轻松实现更高频率的设计，提升功率密度。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STD11NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD11NM60N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。