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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的功率开关吗？STD60N3LH5正是为此而生！这颗30V/48A的N沟道MOSFET，拥有惊人的8毫欧超低导通电阻，能极大减少您在电源路径上的功率损耗，让电能更高效地传输，系统发热更少，效率自然显著提升。

它基于先进的STripFET V技术打造，不仅静态参数优秀，动态性能同样出色。极低的栅极电荷和输入电容，让您可以轻松实现高速开关，非常适合追求高频率、高功率密度的DC-DC转换和电机驱动应用。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保它在各种挑战性环境中都能稳定可靠地工作，为您的产品注入持久动力。

• 型号:STD60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD60N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。