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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STGWT30V60DF正是为您破局而来的利器。这颗600V/60A的沟槽场截止型IGBT，能轻松驾驭变频器、电机驱动等高要求应用，其低至2.3V的Vce(on)显著降低了导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它集成了优异的开关性能，开关能量低，反向恢复时间快，帮助您大幅削减开关损耗，提升整体能效。同时，高达258W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，确保了它在严苛环境下的稳定性和可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的强劲动力与持久保障。

• 型号:STGWT30V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:383J（导通），233J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:163 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):53 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT30V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。