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还在为功率转换效率低下和系统发热问题头疼吗？让STW75NF30来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是专为高压大电流场景设计的能量控制大师。它能轻松驾驭高达300V的电压和60A的连续电流，让您的电源设计底气十足。

其核心优势在于极低的导通电阻（仅45毫欧@30A,10V）和优化的栅极电荷，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行得更凉爽、更高效。无论是提升电机驱动器的响应速度，还是优化开关电源的功率密度，它都能让您以更低的损耗获得更强的性能输出，直接助力您的产品在能效和可靠性上赢得竞争优势。

• 型号:STW75NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW75NF30，ST（意法半导体）产品一站式供应商。