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还在为电源系统的效率瓶颈而烦恼吗？STB18N65M5就是您突破极限的利器。这颗采用先进MDmesh V技术的650V N沟道MOSFET，拥有仅220毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它不仅能处理高达15A的连续电流，其优化的栅极电荷和电容特性更能实现干净利落的快速开关。这意味着您可以轻松提升开关频率，从而缩小变压器和电感尺寸，降低整体系统成本与体积。无论是追求极致能效，还是需要高可靠性的严苛环境，STB18N65M5都能让您的设计脱颖而出。

• 型号:STB18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。