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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP12NM50FD正是为此而生。这颗基于意法半导体先进FDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或照明系统时，对核心功率部件的稳定性充满信心。

它的核心魅力在于高效。仅400毫欧的低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接将电能更高效地输送给负载，而非转化为无用的热量。这不仅提升了整体系统能效，也让散热设计变得更轻松。优化的动态参数支持快速开关，确保您的控制响应既精准又迅速。

此外，其宽广的工作温度范围和经典的TO-220封装，提供了出色的环境适应性与散热便利性。选择STP12NM50FD，就是为您的产品选择了一个久经考验、高效可靠的能量控制枢纽。

• 型号:STP12NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NM50FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。