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您正在设计一款需要处理数十千瓦功率的工业设备吗？STGWA75M65DF2正是为您而来的解决方案。这颗650V/120A的沟槽型场截止IGBT，能轻松胜任电机驱动、太阳能逆变器、焊接电源等苛刻应用。其2.1V的低导通压降和优异的开关速度，直接为您带来更低的系统损耗和更高的整体效率。

这意味着，您的设备不仅能运行得更“冷静”，减少散热设计的压力，还能在相同的体积下实现更大的功率输出或更长的运行时间。无论是应对175°C的高温结温挑战，还是需要承受225A的脉冲电流冲击，STGWA75M65DF2都提供了坚实的性能保障。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STGWA75M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:690J（导通），2.54mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:225 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns
• 测试条件:400V，75A，3.3 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):165 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA75M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。