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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关解决方案吗？STD10NM65N正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的强劲耐压和9A的连续电流处理能力，基于ST先进的MDmesh II技术，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高、发热更少，轻松应对严苛的功率应用挑战。

其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让驱动设计更为简单高效，有助于提升开关频率和系统响应速度。采用坚固的DPAK表面贴装封装，并支持高达150°C的结温工作，确保了在紧凑空间和恶劣环境下的卓越可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STD10NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。