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当您的设计需要驾驭650V高压，并高效处理12A级别的电流时，STW14NM65N就是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，旨在让您轻松攻克能效瓶颈。

它拥有低至380毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，同时其优化的栅极电荷（仅45nC）确保了快速、干净的开关动作，从而大幅削减开关损耗。这意味着您能构建出更凉爽、更紧凑的电源或电机驱动系统。高达125W的功率处理能力和150°C的结温，让它即使在恶劣环境下也能稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。

无论是提升工业电源的功率密度，还是强化电机驱动的控制精度，STW14NM65N都能以其卓越的性能，让您的设计脱颖而出，实现效率与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STW14NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW14NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。