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您正在设计的产品需要一个稳定、高效的“数据仓库”吗？NAND256W3A2BN6F就是您可靠的答案。这款由ST意法半导体打造的256Mb并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的速度响应您的读写指令，让您的设备数据存取如行云流水般顺畅。

它为您提供了一个坚固的非易失性存储空间，即使在断电后也能牢牢守护您的关键数据。其宽泛的电压（2.7V-3.6V）与温度（-40°C至85°C）适应范围，让您的产品能够轻松应对各种复杂的供电环境和严苛的工作条件，极大地提升了系统的可靠性和环境适应性。无论是工业控制、消费电子还是通信设备，它都能无缝融入，成为您产品中默默奉献却又至关重要的存储核心。

• 型号:NAND256W3A2BN6F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND256W3A2BN6F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。