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您正在设计需要处理高功率、追求高效转换的电源或驱动系统吗？STGW40H60DLFB正是您理想的能量开关。这颗600V/80A的沟槽型场截止IGBT，拥有低至2V的导通压降和出色的开关速度，能显著降低系统损耗，提升整体能效，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借优异的性能脱颖而出。

它能让您轻松应对变频器、UPS、电焊机和光伏逆变器等应用中的高压大电流挑战。其高达283W的功率处理能力和稳健的TO-247封装，确保了长期运行的可靠性。选择它，就是为您的核心电路选择了一个高效、可靠且耐用的动力心脏，助您构建更强大、更节能的下一代电力电子设备。

• 型号:STGW40H60DLFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:363J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/142ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW40H60DLFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。