我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP18NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起高压大电流开关重任的“核心大将”吗？STP18NM60N正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流处理能力，专为要求苛刻的功率转换场景设计。它能轻松胜任开关电源、电机驱动、PFC电路等应用中的高频开关任务，让您的系统运行更高效、更可靠。

其核心价值在于极低的导通损耗与出色的开关性能。285毫欧的低导通电阻意味着更少的能量以热量形式浪费，直接提升您的整机效率。同时，优化的栅极电荷让驱动变得更简单，帮助您降低开关损耗，实现更高的工作频率。无论是提升能效、简化散热，还是优化整体成本，STP18NM60N都能成为您设计中值得信赖的功率基石。

• 型号:STP18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。