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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STS15N4LLF3 N沟道MOSFET正是为您而来。它基于ST先进的STripFET技术，拥有40V漏源电压和15A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅5毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载切换与功率控制。无论是提升DC-DC转换器的效率，还是驱动小型电机平稳运行，其快速的开关特性和优异的栅极电荷表现，都能确保系统响应迅捷、运行可靠。采用标准的8-SO封装，便于您集成到各种紧凑设计中，是追求性能与空间平衡的理想选择。

• 型号:STS15N4LLF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS15N4LLF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。