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STGSB200M65DF2AG 零件图片(仅供参考)

STGSB200M65DF2AG
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STGSB200M65DF2AG 规格参数

  • 型号:STGSB200M65DF2AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:9-ACEPACK SMIT
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):216 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):700 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,200A
  • 功率 - 最大值:714 W
  • 开关能量:3.82mJ(导通),6.97mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:554 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:122ns/250ns
  • 测试条件:400V,200A,4.7 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):174.5 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:9-PowerSMD
  • 供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
  • STGSB200M65DF2AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGSB200M65DF2AG 基本参数:

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