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还在为如何平衡电源系统的效率、尺寸和成本而烦恼吗？让STL18NM60N来为您提供一站式解决方案。这颗基于MDmesh II技术的600V N沟道MOSFET，旨在让您的设计事半功倍。

它凭借低至310毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升系统整体能效，让您的产品更省电、运行更凉爽。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速开关，帮助您轻松实现高频化设计，从而缩减变压器和滤波器体积，打造出更小巧、更轻便的终端设备。

无论是开关电源、电机控制还是照明应用，STL18NM60N都能以卓越的电气性能和可靠的PowerFlat封装，为您提供稳定强劲的动力输出，是您打造高效紧凑型功率系统的理想选择。

• 型号:STL18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL18NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。