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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住高电压，同时还能保持冷静高效的功率开关核心吗？STB80NF10T4正是为此而生。这款N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅15毫欧@10V），能显著降低导通状态下的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更小的发热量。

得益于意法半导体先进的STripFET II技术，它实现了优异的开关性能与稳健性的平衡。较低的栅极电荷让驱动更轻松、开关速度更快，从而减少开关损耗。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您的设计更高效、更可靠。选择它，就是为您的功率电路注入一颗强劲而高效的‘心脏’。

• 型号:STB80NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:182 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF10T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。