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还在为驱动电路的设计而耗费精力？让L6399D来解放您的创造力！这颗来自ST意法半导体的高性能半桥栅极驱动器，专为简化您的IGBT和MOSFET驱动而生。它集成了两个独立通道，提供高达430mA/290mA的强大驱动电流，能以纳秒级的开关速度（典型值75ns/35ns）让您的功率器件高效运作，显著提升系统整体能效。

更令人心动的是，L6399D支持高达600V的自举电压，让高压侧驱动变得轻松简单，无需额外的隔离电源。其宽广的工作温度范围（-40°C至150°C）和坚固的设计，确保您的产品即使在最严苛的工业环境中也能稳定可靠。选择它，就是选择了一个让设计更高效、让产品更耐用的智能驱动核心。

• 型号:L6399D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:反相，非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6399D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。