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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的650V功率开关管吗？STGP10M65DF2正是为您而来。这颗来自意法半导体的10A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能轻松实现低至2V的导通压降，显著降低您的系统导通损耗，提升整体能效。

它拥有高达20A的连续电流和40A的脉冲电流处理能力，配合650V的高击穿电压，让您的电机驱动、UPS或太阳能逆变器面对浪涌和过载时更加从容。其优化的开关特性（开关能量仅120J/270J）和快速的开关速度，能有效减少开关损耗与电磁干扰，让您的设计更简洁，性能更出色。选择它，就是选择了一条高效、可靠的功率转换路径。

• 型号:STGP10M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:120J（导通），270J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:28 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
• 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):96 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP10M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。