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零件图片（仅供参考）
STGY80H65DFB
规格参数
  • ST意法半导体公司完整型号：STGY80H65DFB
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 650V 120A 469W MAX247
  • 系列：-
  • IGBT 类型：沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：240A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，80A
  • 功率 - 最大值：469W
  • Switching Energy：2.1mJ （开）， 1.5mJ （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：414nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：84ns/280ns
  • Test Condition：400V， 80A， 10 欧姆， 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：85ns
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：MAX247
  • STGY80H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGY80H65DFB
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：IGBT 650V 120A 469W MAX247
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询STGY80H65DFB的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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