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您正在寻找一颗能扛起高效能量转换核心重任的功率芯片吗？STGY80H65DFB正是您理想的答案。这颗650V/120A的IGBT，以其仅2V的低导通压降和极优的开关性能，能显著降低您系统中逆变或电机驱动环节的损耗，让您的设备运行更凉爽、能效比更高，直接为您节省运营成本并提升产品竞争力。

它集成了先进的沟道和场截止技术，开关能量低至毫焦耳级别，响应迅速。无论是驱动工业电机高速运转，还是在光伏逆变器中实现精准的MPPT追踪，它都能轻松应对，确保功率转换过程既高效又稳定。高达469W的功率处理和TO-247的坚固封装，更赋予了它卓越的可靠性与散热能力，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:STGY80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:MAX247
• STGY80H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。