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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STD7N90K5为您开启高效节能的新篇章！这颗基于ST先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的漏源电压和7A的连续电流能力，能轻松应对服务器电源、工业驱动等高压大电流场景的核心开关任务。

它卓越的开关性能和低导通损耗，让您的系统能量转换更加高效，直接帮助降低整体功耗与温升。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的心脏，让设计更简单，让性能更出众。

• 型号:STD7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。