我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STS5PF20V现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭低压、中电流开关任务的“能量守门员”吗？STS5PF20V正是这样一款为您排忧解难的P沟道MOSFET。它基于ST成熟的STripFET II技术，旨在让您的电源路径管理变得前所未有的高效与简洁。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅速、损耗极低的电子开关。凭借仅80毫欧的低导通电阻，它能大幅降低电能传输过程中的损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，其优化的栅极电荷特性让开关动作干净利落，有效提升系统整体响应速度与效率。无论是用于便携设备的电源切换，还是模块内部的功率分配，STS5PF20V都能让您以更小的功耗代价，实现更可靠的控制。

• 型号:STS5PF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5PF20V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。