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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、强韧性与易用性的功率开关器件吗？STGB30V60DF正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的600V/60A IGBT，采用先进的沟槽场截止技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能在高达175°C的结温下稳定工作，最大功耗达258W，赋予产品出色的过载能力和可靠性。同时，优化的开关特性（如383J的开通能量）有助于减少电磁干扰，简化您的电路设计。采用表面贴装DPak封装，让您能轻松实现高功率密度布局，加速产品上市进程。

• 型号:STGB30V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:383J（导通），233J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:163 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):53 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB30V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。