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还在为高压大电流开关应用中的损耗和发热问题头疼吗？让STP13NK60Z来为您轻松化解！这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V/13A的强悍规格，能轻松应对开关电源、电机驱动等场景中的高压切换任务。

它的核心价值在于极高的效率。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着电流通过时产生的热量更少，电能损耗大幅降低，直接帮助您提升整机能效。同时，优化的动态参数让开关速度更快，进一步减少开关损耗。选择它，就是为您的产品选择了更长的寿命、更小的散热器需求和更出色的整体性能。

• 型号:STP13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。