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还在为寻找一颗能高效处理500V高压的功率开关而烦恼吗？STB5NK50ZT4将彻底改变您的设计体验。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，让您轻松驾驭高达4.4A的连续电流，而其低至1.5欧姆的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升系统的整体能效，让热量管理变得更简单。

它专为要求苛刻的开关电源和功率转换应用而优化。极低的栅极电荷（仅28nC）确保了快速高效的开关性能，帮助您的设备响应更迅捷。同时，坚固的D2PAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了它卓越的可靠性与环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、稳定与耐用的强大保障。

• 型号:STB5NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB5NK50ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。