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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的“核心引擎”吗？STF2LN60K3正是为此而来。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达600V的耐压和2A的电流处理能力，让您在设计开关电源、LED驱动或家电辅助电源时，面对高压侧应用充满信心。

它通过优化的4.5欧姆低导通电阻和仅12nC的低栅极电荷，显著降低导通与开关损耗，直接提升您的系统整体能效。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，结合20W的功率处理能力，让您的设备运行更稳定、寿命更长久。选择STF2LN60K3，就是为您的产品选择了一颗高效、坚固且易于驱动的功率开关核心。

• 型号:STF2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2LN60K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。