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您正在为高电压、高功率的应用寻找一颗能扛重任的“心脏”吗？STFI26N60M2正是这样一款为您而生的功率MOSFET。它基于意法半导体成熟的MDmesh技术打造，拥有600V的漏源击穿电压和20A的连续电流处理能力，能轻松应对严苛的开关环境，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更冷静。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。其优化的导通电阻特性，能显著降低功率损耗，直接提升系统整体效率。同时，坚固的I2PAKFP封装确保了出色的热管理能力，配合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，让您的设备即使在极端温度下也能稳定可靠地长时间工作。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能保障。

• 型号:STFI26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI26N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。