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您正在设计需要处理600V高压的电源或电机驱动方案吗？STP8NM60D就是为您而来的得力助手。这颗采用意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，能轻松承担8A的连续电流，并以低至1欧姆的导通电阻，大幅降低您在功率转换过程中的能量损耗，直接提升系统整体效率。

它不仅仅是一个开关。其优化的动态参数，如极低的栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，让您能设计出更高频率、更紧凑的电源拓扑。同时，坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，赋予了它卓越的耐用性，确保您的产品在各种苛刻环境下都能稳定运行，有效延长设备寿命并减少维护烦恼。

• 型号:STP8NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NM60D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。