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您正在寻找一颗能轻松驾驭中低压、小功率开关应用，同时兼顾高可靠性与出色性价比的“核心开关”吗？STP3NK60Z正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有600V的强劲耐压和2.4A的连续电流处理能力，源自ST先进的SuperMESH技术，让您在构建开关电源、LED驱动或电机控制电路时，能显著降低导通和开关损耗，从而提升整体系统的能效。

它采用经典的TO-220AB封装，安装简便，散热性能优异，配合高达45W的功率耗散能力，让您的设计在面对热挑战时更加从容。其优化的动态参数，如低栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现高效、稳定的功率转换。选择STP3NK60Z，就是为您的产品选择了一份久经考验的可靠与高效。

• 型号:STP3NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。