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您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、让设计更简洁的“核心动力”？STF5N62K3正是您的理想答案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和仅1.6欧姆的低导通电阻，能大幅降低开关和传导损耗，直接为您带来更高的系统能效和更低的温升。

它能让您轻松驾驭高达4.2A的连续电流，其快速的开关特性和低栅极电荷（26nC @ 10V）确保了精准高效的控制响应。无论是用于开关电源、LED驱动还是电机控制，它都能帮助您简化散热设计，提升功率密度，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STF5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。