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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STL28N60DM2将为您提供卓越的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和21A的强大电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、电机驱动和功率转换应用而优化。

它采用先进的POWERFLAT 8x8封装，不仅热性能出色，能帮助您的系统高效散热，还大幅节省了电路板空间，让您的设计更紧凑、更高效。选择它，意味着您为产品选择了一份来自ST意法半导体的品质保证，让您能轻松构建更可靠、更具竞争力的电力电子系统。

• 型号:STL28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:-
• STL28N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。