我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF12N65M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的功率开关芯片吗？STF12N65M2正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh M2系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和8A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗与开关损耗。

它能让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能效等级。超低的栅极电荷（Qg）简化了驱动电路，让系统运行更高效、更凉爽。无论是提升现有产品性能，还是开发下一代绿色能源方案，选择STF12N65M2，就是选择了一个经过验证的高性能起点，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。

• 型号:STF12N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。