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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STF22N60DM6正是您期待的解决方案。这颗采用先进MDmesh M6技术的600V/15A N沟道MOSFET，旨在为您大幅降低导通与开关损耗。其极低的导通电阻（典型230mΩ）和栅极电荷，让您的电源系统运行得更高效、更凉爽，直接提升整体能效和功率密度。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业电机驱动、UPS和照明镇流器等中高功率应用。坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的长期稳定性和可靠性。选择STF22N60DM6，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且值得信赖的“心脏”，助您快速实现性能突破。

• 型号:STF22N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF22N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。