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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STF42N65M5 N沟道MOSFET是您理想的解决方案。它基于先进的MDmesh V技术，拥有650V的漏源电压和33A的连续漏极电流能力，其超低的导通电阻（仅79毫欧）能大幅减少导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级。

这颗芯片能为您做什么？它卓越的快速开关性能与优化的栅极电荷，让开关过程更为干净利落，有效降低开关损耗和电磁干扰。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机驱动，STF42N65M5都能帮助您构建出更紧凑、更高效、运行更凉爽的系统，显著提升产品的整体可靠性和市场竞争力。

• 型号:STF42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF42N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。