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还在为高压半桥驱动的设计复杂性和可靠性担忧吗？让L6384ED来为您简化一切！这颗来自ST意法半导体的高性能栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，能轻松驾驭高达600V的高压侧电压，为您的高压应用提供坚固的电气隔离和保护。

它集成了两个同步驱动通道，拥有强劲的650mA拉电流和400mA灌电流输出能力，结合极快的开关速度（典型值50ns/30ns），能显著提升您的系统效率并降低热损耗。其宽广的工作温度范围（-45°C至125°C）和反相输入逻辑设计，让您在各种严苛环境下都能实现稳定、高效的控制。选择L6384ED，就是选择了一个让您设计更轻松、产品更可靠的智能驱动核心。

• 型号:L6384ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6384ED，ST（意法半导体）产品一站式供应商。