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您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时又能保持冷静与高效的“核心动力”？STF26NM60N-H正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和20A的连续漏极电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动或高效照明系统时信心十足。

它的卓越之处在于，能够在10V驱动电压下，将导通电阻显著降低，从而大幅减少导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您的系统开关更迅速、更平滑，轻松应对高频应用挑战。TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力，结合高达150°C的结温工作范围，为您产品的长期可靠运行奠定了坚实基础。

• 型号:STF26NM60N-H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26NM60N-H，ST（意法半导体）产品一站式供应商。