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您正在寻找一颗能精准、强力驱动功率开关管的核心芯片吗？TD350IDT正是您的理想之选。这颗单通道高端栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，它能将您微弱的控制信号，瞬间转化为峰值高达2.3A（拉出）和1.5A（灌入）的强劲驱动电流，确保功率器件快速彻底地开关，从而大幅提升整个电源系统的效率和响应速度。

它让您的设计工作变得异常轻松。其12V至26V的宽供电电压范围提供了充足的设计裕度，0.8V的低电平输入和4.2V的高电平输入阈值，使其能轻松兼容绝大多数逻辑电路。非反相的输入逻辑直观易用，您无需复杂的逻辑转换即可实现高效控制。无论是面对工业驱动的高频挑战，还是严苛环境下的温度波动（支持-40°C至150°C结温），TD350IDT都能提供稳定可靠的性能保障，是构建高效、坚固电力电子系统的基石。

• 型号:TD350IDT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• TD350IDT，ST（意法半导体）产品一站式供应商。