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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持极高效率的“能量开关”？STF10N65K3正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和10A的强大电流处理能力，专为要求严苛的电源转换和电机控制应用而设计。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通电阻（典型值1欧姆@10V）意味着更少的能量以热量的形式耗散，直接提升整体能效。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速的开关响应，进一步降低开关损耗。无论是用于提升工业电源的功率密度，还是让LED驱动方案更加可靠，STF10N65K3都能以出色的性能，助您轻松构建更强大、更节能的下一代产品。

• 型号:STF10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。