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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STD2N105K5来改变这一切！这颗1050V N沟道MOSFET，基于ST先进的MDmesh K5技术，为您带来极低的导通电阻和栅极电荷。这意味着它能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更高效、更凉爽，轻松提升整体能效。

它拥有1.5A的连续电流能力，采用坚固的DPAK封装，散热优异，安装便捷。其宽广的工作温度范围和±30V的栅源电压容限，确保了在各种严苛环境下的卓越可靠性和鲁棒性。选择它，就是为您的设计选择了一份高性能与高可靠性的保障，助您轻松攻克高压功率转换的挑战。

• 型号:STD2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。