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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STF10N60M2正是为您的高效设计而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和仅600毫欧的超低导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的开关电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更节能。

它集成了意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，不仅提供7.5A的强大电流处理能力，更具备优化的开关特性。更低的栅极电荷让驱动更轻松，开关速度更快，从而帮助您减少开关损耗，轻松实现更高的工作频率和更紧凑的磁性元件设计。选择STF10N60M2，就是为您的产品注入了高效可靠的核心动力。

• 型号:STF10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。