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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的“核心引擎”吗？STE70NM50正是这样一款专为 demanding 应用设计的N沟道功率MOSFET。它拥有500V的高耐压和70A的强大电流通过能力，让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等高压大电流场景。

得益于ST先进的MDmesh技术，它在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的50毫欧。这意味着更少的导通损耗，更高的系统效率，以及更低的发热量。其优化的栅极电荷和输入电容，有助于实现更快的开关速度，让您的电源设计不仅高效，而且响应敏捷。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的心脏。

• 型号:STE70NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE70NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。