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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STD16NF06LT4正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的60V/24A N沟道MOSFET，凭借其STripFET II技术，实现了极低的导通电阻（典型值70毫欧），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它拥有快速的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保您在苛刻环境下也能稳定运行。无论是用于提升现有产品性能，还是开发新一代高效能设备，STD16NF06LT4都能让您的设计更轻松、更可靠，直接赋能最终产品的竞争力。

• 型号:STD16NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD16NF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。