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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关？STF7N65M2正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh技术，集650V高耐压、5A电流能力与超低导通电阻于一身，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能让您轻松应对严苛的工业环境。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了迅猛的开关速度，帮助您提升系统频率，从而缩小磁性元件体积，实现整体方案的微型化。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，赋予了它卓越的可靠性和散热能力，让您的产品设计无后顾之忧，性能始终稳定如一。

• 型号:STF7N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。