我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD95N3LLH6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STD95N3LLH6为您带来改变！这颗N沟道MOSFET是ST意法半导体DeepGATE家族的明星产品，它能轻松驾驭高达80A的连续电流，并以低至4.2毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，将更多电能高效转化为有用功。

它让您的DC-DC转换器、电机驱动器或负载开关设计变得前所未有的高效与紧凑。极低的栅极电荷确保快速的开关响应，减少开关损耗，而高达175°C的工作结温和DPAK封装，则提供了出色的热管理和可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、冷静且可靠的心脏。

• 型号:STD95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD95N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。