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STGWA8M120DF3 零件图片(仅供参考)

STGWA8M120DF3
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STGWA8M120DF3 规格参数

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和快速开关性能的功率核心吗?STGWA8M120DF3正是为此而生。这颗1200V/16A的沟槽场截止型IGBT,以其低至2.3V的导通压降,能显著降低您系统中的导通损耗,直接将电能高效转化为动力或纯净的交流输出,让您的设备运行更凉爽、更节能。

它拥有优化的开关特性(390J/370J开关能量)与快速的反向恢复能力,让您轻松实现更高频率的设计,从而减小滤波器体积,打造更紧凑的电源或驱动方案。其坚固的TO-247封装和高达175°C的结温工作能力,确保了在工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等严苛应用中的长久稳定运行,是您提升产品竞争力的可靠选择。

  • 型号:STGWA8M120DF3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247 长引线
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,8A
  • 功率 - 最大值:167 W
  • 开关能量:390J(导通),370J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:32 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/126ns
  • 测试条件:600V,8A,33 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):103 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247 长引线
  • STGWA8M120DF3,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGWA8M120DF3 基本参数:

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