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还在为高压开关电源的效率提升而绞尽脑汁吗？STFW60N65M5 N沟道功率MOSFET就是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，为您带来650V耐压与46A高电流能力的强悍组合。

这颗芯片能为您做什么？它极低的59毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更凉爽、能效更高。同时，其优化的开关特性帮助您轻松实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，打造更紧凑、更高效的下一代功率产品。

• 型号:STFW60N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 46A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:79W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW60N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。