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还在为电源转换效率不够高而烦恼吗？STD6NM60N-1功率MOSFET就是您提升能效的得力助手。它采用ST先进的MDmesh II技术，能轻松应对高达600V的电压和4.6A的电流，其低至920毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源设计运行更凉爽、更高效。

这颗芯片专为要求严苛的开关电源、电机驱动和照明应用而生。它优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您能够实现更高频率的设计，从而减小变压器和滤波元件的体积，助力打造更紧凑、更具成本竞争力的产品。选择它，就是为您的系统注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STD6NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD6NM60N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。