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您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的高压开关管吗？STD10NM60N正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流能力，核心使命就是让您的电源转换过程损耗更低、发热更少、效率更高。

凭借其领先的550毫欧超低导通电阻，它能显著减少功率损耗，直接提升您的整机效率。同时，优化的19nC低栅极电荷让开关速度更快，轻松应对高频开关需求，进一步降低开关损耗。无论是开关电源、电机驱动还是PFC电路，它都能帮助您构建更紧凑、更凉爽、更可靠的系统，让设计难题迎刃而解。

• 型号:STD10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。